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SiLM27511H

单通道 20V, 4A/5A 高（gāo）欠（qiàn）压保护低边门（mén）极驱动器

样片申请（qǐng）

SiLM27511H Datasheet SiLM27511H-AQ Datasheet SiLM27511HCJ-AQ Datasheet

产（chǎn）品概述

产品（pǐn）特性

安规（guī）认证（zhèng）

典（diǎn）型应用图（tú）

产品概述

SiLM27511H系（xì）列是单通道（dào）高欠压保（bǎo）护低边门极驱动器，可有效驱动MOSFET和（hé）IGBT等功率开关。SiLM27511H 采用一种（zhǒng）能够（gòu）从内部（bù）极大的降低（dī）直（zhí）通电（diàn）流的设计，将高峰值（zhí）的源电流和灌电流脉（mò）冲提供给电容负载（zǎi），以实（shí）现轨（guǐ）到轨（guǐ）的驱动能（néng）力和典型值仅（jǐn）为 18ns 的极（jí）小传播延迟（chí）。

SiLM27511H 在 15V 的 VDD 供电情况下，能够提（tí）供 4A 的峰值源电流和 5A 的峰（fēng）值灌电流。SiLM27511H 欠压锁定保护 (UVLO)12.5/11.5V。

产品特性

低成（chéng）本的（de）门极驱动方案可用于替代 NPN和 PNP 分（fèn）离器件方案

4A的（de）峰（fēng）值源电流和 5A 的峰值灌（guàn）电流（liú）能力（lì）

快速的传播延时（典型值为 18ns）

快速（sù）的上升（shēng）和下降时间（典型值（zhí）为 9ns/6ns）

13.5V 到 20V 的单电源范围（wéi）

SiLM27511H 欠压锁定保（bǎo）护 (UVLO)12.5/11.5V

兼容（róng） TTL 和 CMOS 的输入逻辑电压阈值

双输入设计(可选择反（fǎn）相或非反（fǎn）相驱动配置（zhì）)

输入浮空时输（shū）出保持（chí）为低

工作温度范（fàn）围为 -40°C 到 140°C